SJ 50033.103-1996 半导体分立器件.3DA89型高频功率晶体管详细规范
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ID： |
F203798F5078488C9CEDDDCDA33FF415 |
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文件大小(MB)： |
0.52 |
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页数： |
12 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/103-96,半导体分立器件,3DA89型高频功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA89,high-frequency power transistor,1996418-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,ww. bzfxw. com下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA89型高频功率晶体管,详细规范,SJ 50033/103-96,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA89,high-frequency power transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DA89 B、C、L型NPN硅高频功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33〈半导体分立器件总规范乂.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级,用字母,GP表示,2引用文件,GB 4587-94双极型晶体管,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128— 86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详加要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或银带,引出端表面应镀金,中华人民共和国电子工业部1996.Q8-30发布1997-01-01 实施,SJ 50033/103-96,3.2.2 器件结构,采用外延平面型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合图1的规定,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,卩幫,Te = 25±5V,W,ビCBO,V V V,厶,A V,T上 W,c,3DA89 B,10,7,40 30 3,3DA89 C 40 30 3 0.75 175 -55-175,3nA89 L 65 40 4,注:1）7;>25匸时,按71.4mW/匕的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25七）,2,SJ 50033/103-96,、ゝ极限值,型号\,小,Vce = 5V,Iq = 300mA,厶-300 mA,1冃セ60mA,A,匕网CBO,(B丒C)T尸 1mA,(L) f(；= 10mA,V,匕脉XT),(B.C)Jc = lmA,(L)J,= 10mA,V,V(BR)￡HO,I『lmA,V,1曲1,(B.%3 = 40V,(D Vcb = ?5V,mA,最小值最大值最大值最小值最小值最小值最大值,3DA89 B,10 90 0.5,40 30 3,3DA89 C 40 30 3 0.5,3DA89 L 65 40 4,、极限值,型之,［而,Vce = 20V,mA,PQ Gp,R (th) j - e,Vce = 20V,c = 200mA,C/W,Vce = 28V,P产1W,ん=1GHz,W,% = 28 V,P产2w,f尸 !GHz,W,Vce = 28V,巴二1W,& nlGHs,dB,V(x = 28V,Pi = 2W,爲二 IGHb,dB,最大值最小值最小值最小值最小值最大值,2DA89 B,1,3 一5 —,3DA89 C 一5 —— 4 14,3DA39 L —— 5 4,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,W 选,见GJB 33的表2,测试和试验,3热冲击,温度循环,试验条件:循环20次,-55^-150X3,4恒定加速度加速度19600m/J,-3 —,SJ 50033/103-96,续表,筛选,见GJB 33的表2,测试和试驶,5密封粗检漏,试验条件C,漏率&lOOOmPa cmJ/s,7中间参数测试1而兩ホ,8功率老炼功率老炼条件如下:,Tc = 7O±5t,￥任エ20V,38W,9最后测试,按本规范表1的A2分组,A【cめ《初始值的1。。%或,1OOmA,取其较大者;Ahfe* ±20%,4.4 质曷一致性检验,质量一致性检脸应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规是进行,4.4.2 B组检验,B组检脸应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(△)要求应按本规范,表4的步骤进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(4)要求应按本规,范表4的步骤进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2J的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小最大,A1分组,外观及机械试睑,GJB 128,2071,见图1,5,A2分组,集电极,基极击穿电压,3DA89B、……
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